| Fabricant | |
| Référence Fabricant | UF4SC120023K4S |
| Référence EBEE | E86343383 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $60.7201 | $ 60.7201 |
| 210+ | $24.2279 | $ 5087.8590 |
| 510+ | $23.4193 | $ 11943.8430 |
| 990+ | $23.0177 | $ 22787.5230 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Qorvo UF4SC120023K4S | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 385W | |
| Courant d'égout continu | 53A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $60.7201 | $ 60.7201 |
| 210+ | $24.2279 | $ 5087.8590 |
| 510+ | $23.4193 | $ 11943.8430 |
| 990+ | $23.0177 | $ 22787.5230 |
