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Qorvo UF4SC120023K4S


Fabricant
Référence Fabricant
UF4SC120023K4S
Référence EBEE
E86343383
Boîtier
-
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$60.7201$ 60.7201
210+$24.2279$ 5087.8590
510+$23.4193$ 11943.8430
990+$23.0177$ 22787.5230
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueQorvo UF4SC120023K4S
RoHS
Dissipation du pouvoir385W
Courant d'égout continu53A
Type de canal1 N-Channel
Tension de source d'égout1200V

Guide d’achat

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