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Qorvo UF4C120053K4S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | UF4C120053K4S |
| Référence EBEE | E86006292 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $29.7422 | $ 29.7422 |
| 210+ | $11.8685 | $ 2492.3850 |
| 510+ | $11.4706 | $ 5850.0060 |
| 990+ | $11.2752 | $ 11162.4480 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Qorvo UF4C120053K4S | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 263W | |
| Courant d'égout continu | 34A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $29.7422 | $ 29.7422 |
| 210+ | $11.8685 | $ 2492.3850 |
| 510+ | $11.4706 | $ 5850.0060 |
| 990+ | $11.2752 | $ 11162.4480 |
