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Qorvo UF3C120150K4S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | UF3C120150K4S |
| Référence EBEE | E87136718 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Qorvo UF3C120150K4S | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 166.7W | |
| Courant d'égout continu | 18.4A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7266 | $ 16.7266 |
| 210+ | $6.6746 | $ 1401.6660 |
| 510+ | $6.4516 | $ 3290.3160 |
| 990+ | $6.3418 | $ 6278.3820 |
