| Fabricant | |
| Référence Fabricant | UF3C065080B7S |
| Référence EBEE | E87136716 |
| Boîtier | D2PAK-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | D2PAK-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.2732 | $ 15.2732 |
| 200+ | $6.0943 | $ 1218.8600 |
| 500+ | $5.8904 | $ 2945.2000 |
| 800+ | $5.7911 | $ 4632.8800 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Qorvo UF3C065080B7S | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 136.4W | |
| Courant d'égout continu | 27A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 650V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.2732 | $ 15.2732 |
| 200+ | $6.0943 | $ 1218.8600 |
| 500+ | $5.8904 | $ 2945.2000 |
| 800+ | $5.7911 | $ 4632.8800 |
