Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

Qorvo UF3C065030K4S


Fabricant
Référence Fabricant
UF3C065030K4S
Référence EBEE
E86581986
Boîtier
-
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>

En stock : Veuillez vous renseigner

Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.

Nom du contact
E-mail professionnel
Nom de l'entreprise
Pays
Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$39.9893$ 39.9893
210+$15.9557$ 3350.6970
510+$15.4224$ 7865.4240
990+$15.1592$ 15007.6080
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueQorvo UF3C065030K4S
RoHS
Dissipation du pouvoir441W
Courant d'égout continu85A
Type de canal1 N-Channel
Tension de source d'égout650V

Guide d’achat

Développer