| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KXMW120R40T3 |
| Référence EBEE | E820607109 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5562 | $ 5.5562 |
| 10+ | $4.8387 | $ 48.3870 |
| 30+ | $4.4131 | $ 132.3930 |
| 90+ | $3.9819 | $ 358.3710 |
| 510+ | $3.7837 | $ 1929.6870 |
| 990+ | $3.6938 | $ 3656.8620 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Power X KXMW120R40T3 | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 519W | |
| Courant d'égout continu | 68A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| V(BR)DSS | 1200V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.5562 | $ 5.5562 |
| 10+ | $4.8387 | $ 48.3870 |
| 30+ | $4.4131 | $ 132.3930 |
| 90+ | $3.9819 | $ 358.3710 |
| 510+ | $3.7837 | $ 1929.6870 |
| 990+ | $3.6938 | $ 3656.8620 |
