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PN Junction Semiconductor PAA12400BM3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | PAA12400BM3 |
| Référence EBEE | E817638836 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| RoHS | ||
| Courant d'égout continu | 350A | |
| Configuration | Half Bridge | |
| Type de canal | 2 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2,281.7397 | $ 2281.7397 |
| 200+ | $910.4297 | $ 182085.9400 |
| 500+ | $880.0062 | $ 440003.1000 |
| 1000+ | $864.9739 | $ 864973.9000 |
