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PN Junction Semiconductor P3M173K0T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M173K0T3 |
| Référence EBEE | E85823481 |
| Boîtier | TO-220-2L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-220-2L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M173K0T3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Dissipation du pouvoir | 75W | |
| Charge totale de la porte | 3.79nC | |
| Courant d'égout continu | 4A | |
| Capacité de transfert inversé | 4.3pF | |
| Capacité d'entrée | 116pF | |
| Capacité de sortie | 12pF | |
| Configuration | - | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Source de l'égout Résistance à l'état (15V) | 2500mΩ | |
| Résistance à l'égout-Source sur l'état (18V) | - | |
| Source de l'égout Résistance à l'état (20V) | - | |
| Type encapsulé | Single Tube | |
| Résistance à l'égout-Source sur l'état (10V) | - | |
| Tension de source d'égout | 1700V | |
| Tension du seuil de seuil de source de égout | 2.2V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.8233 | $ 10.8233 |
| 200+ | $4.3200 | $ 864.0000 |
| 500+ | $4.1753 | $ 2087.6500 |
| 1000+ | $4.1039 | $ 4103.9000 |
