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PN Junction Semiconductor P3M06300D8
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P3M06300D8 |
| Référence EBEE | E85840346 |
| Boîtier | DFN8080-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | DFN8080-8 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1880 | $ 13.1880 |
| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | PN Junction Semiconductor P3M06300D8 | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 32W | |
| Courant d'égout continu | 9A | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 650V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.1880 | $ 13.1880 |
| 200+ | $5.2626 | $ 1052.5200 |
| 500+ | $5.0867 | $ 2543.3500 |
| 1000+ | $4.9995 | $ 4999.5000 |
