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onsemi NVH4L060N090SC1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NVH4L060N090SC1 |
| Référence EBEE | E82902307 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5673 | $ 18.5673 |
| 10+ | $16.9812 | $ 169.8120 |
| 30+ | $15.5226 | $ 465.6780 |
| 90+ | $14.2498 | $ 1282.4820 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | onsemi NVH4L060N090SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 221W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5673 | $ 18.5673 |
| 10+ | $16.9812 | $ 169.8120 |
| 30+ | $15.5226 | $ 465.6780 |
| 90+ | $14.2498 | $ 1282.4820 |
