Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
onsemi NTH4L040N120M3S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTH4L040N120M3S |
| Référence EBEE | E819673849 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>20 En stock pour livraison rapide
20 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.0766 | $ 8.0766 |
| 10+ | $6.9367 | $ 69.3670 |
| 30+ | $6.2429 | $ 187.2870 |
| 90+ | $5.6602 | $ 509.4180 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | onsemi NTH4L040N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 54mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 54A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC |
Guide d’achat
Développer
20 Stock for Shipping Fast
20 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $8.0766 | $ 8.0766 |
| 10+ | $6.9367 | $ 69.3670 |
| 30+ | $6.2429 | $ 187.2870 |
| 90+ | $5.6602 | $ 509.4180 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
