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onsemi NTBL045N065SC1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTBL045N065SC1 |
| Référence EBEE | E85208253 |
| Boîtier | H-PSOF8L(9.9x11.68) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | H-PSOF8L(9.9x11.68) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 30+ | $9.3200 | $ 279.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | onsemi NTBL045N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 50mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 73A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.87nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 162pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC |
Guide d’achat
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