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onsemi NTBG060N065SC1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTBG060N065SC1 |
| Référence EBEE | E85209021 |
| Boîtier | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.9752 | $ 9.9752 |
| 10+ | $8.5155 | $ 85.1550 |
| 30+ | $7.6258 | $ 228.7740 |
| 100+ | $6.8786 | $ 687.8600 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | onsemi NTBG060N065SC1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 70mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.473nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 133pF | |
| Gate Charge(Qg) | 74nC |
Guide d’achat
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