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onsemi NTBG022N120M3S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NTBG022N120M3S |
| Référence EBEE | E85209031 |
| Boîtier | D2PAK7(TO-263-7L-HV) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | ECL99 |
| Description | D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $14.8157 | $ 14.8157 |
| 10+ | $12.6568 | $ 126.5680 |
| 30+ | $10.9999 | $ 329.9970 |
| 100+ | $9.5531 | $ 955.3100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | onsemi NTBG022N120M3S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 30mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 234W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 148nC |
Guide d’achat
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