| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSCSM120VR1M16CTPAG |
| Référence EBEE | E817480161 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2,691.4490 | $ 2691.4490 |
| 200+ | $1,073.9062 | $ 214781.2400 |
| 500+ | $1,038.0201 | $ 519010.0500 |
| 1000+ | $1,020.2879 | $ 1020287.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Microchip Tech MSCSM120VR1M16CTPAG | |
| RoHS | ||
| Dissipation du pouvoir | 728W | |
| Courant d'égout continu | 171A | |
| Type de canal | 6 N-Channel | |
| Tension de source d'égout | 1200V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2,691.4490 | $ 2691.4490 |
| 200+ | $1,073.9062 | $ 214781.2400 |
| 500+ | $1,038.0201 | $ 519010.0500 |
| 1000+ | $1,020.2879 | $ 1020287.9000 |
