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Microchip Tech MSCSM120DDUM31TBL2NG


Fabricant
Référence Fabricant
MSCSM120DDUM31TBL2NG
Référence EBEE
E817439276
Boîtier
-
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$750.3882$ 750.3882
200+$299.4106$ 59882.1200
500+$289.4052$ 144702.6000
1000+$284.4617$ 284461.7000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueMicrochip Tech MSCSM120DDUM31TBL2NG
RoHS
Dissipation du pouvoir310W
Courant d'égout continu79A
ConfigurationCommon Source
Type de canal4 N-channel
Tension de source d'égout1200V

Guide d’achat

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