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Microchip Tech MSC080SMA120B
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSC080SMA120B |
| Référence EBEE | E85127757 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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6 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4642 | $ 27.4642 |
| 10+ | $25.8708 | $ 258.7080 |
| 30+ | $24.2869 | $ 728.6070 |
| 90+ | $22.9050 | $ 2061.4500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Microchip Tech MSC080SMA120B | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 231W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 91pF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $27.4642 | $ 27.4642 |
| 10+ | $25.8708 | $ 258.7080 |
| 30+ | $24.2869 | $ 728.6070 |
| 90+ | $22.9050 | $ 2061.4500 |
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