| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSC035SMA070B4 |
| Référence EBEE | E86684980 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2862 | $ 20.2862 |
| 30+ | $19.3286 | $ 579.8580 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Microchip Tech MSC035SMA070B4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 44mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 17pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 77A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.01nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 247pF | |
| Gate Charge(Qg) | 99nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2862 | $ 20.2862 |
| 30+ | $19.3286 | $ 579.8580 |
