| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSC015SMA070B4 |
| Référence EBEE | E83281099 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $77.8458 | $ 77.8458 |
| 30+ | $74.7664 | $ 2242.9920 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Microchip Tech MSC015SMA070B4 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 19mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 29pF | |
| Pd - Power Dissipation | 455W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 140A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 510pF | |
| Gate Charge(Qg) | 215nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $77.8458 | $ 77.8458 |
| 30+ | $74.7664 | $ 2242.9920 |
