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MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MDDG1C120R080K3 |
| Référence EBEE | E822370504 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) MDDG1C120R080K3 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Dissipation du pouvoir | - | |
| Charge totale de la porte | - | |
| Courant d'égout continu | 36A | |
| Capacité de transfert inversé | - | |
| Capacité d'entrée | - | |
| Configuration | - | |
| Type de canal | 1 N-Channel | |
| Source de l'égout Résistance à l'état (15V) | - | |
| Résistance à l'égout-Source sur l'état (18V) | - | |
| Source de l'égout Résistance à l'état (20V) | - | |
| Type encapsulé | - | |
| Résistance à l'égout-Source sur l'état (10V) | - | |
| Tension de source d'égout | 1200V | |
| Tension du seuil de seuil de source de égout | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.1546 | $ 17.1546 |
| 200+ | $6.8447 | $ 1368.9400 |
| 450+ | $6.6162 | $ 2977.2900 |
| 900+ | $6.5045 | $ 5854.0500 |
