| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LSIC1MO120G0120 |
| Référence EBEE | E83281112 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8659 | $ 9.8659 |
| 200+ | $3.8186 | $ 763.7200 |
| 500+ | $3.6838 | $ 1841.9000 |
| 1000+ | $3.6181 | $ 3618.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Littelfuse LSIC1MO120G0120 | |
| RoHS | ||
| Power Dissipation | 156W | |
| Continuous Drain Current | 27A | |
| Channel Type | 1 N-Channel | |
| Drain Source Voltage | 1200V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8659 | $ 9.8659 |
| 200+ | $3.8186 | $ 763.7200 |
| 500+ | $3.6838 | $ 1841.9000 |
| 1000+ | $3.6181 | $ 3618.1000 |
