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Littelfuse LSIC1MO120G0080


Fabricant
Référence Fabricant
LSIC1MO120G0080
Référence EBEE
E83290754
Boîtier
TO-247-4L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$13.6542$ 13.6542
200+$5.2843$ 1056.8600
500+$5.0998$ 2549.9000
1000+$5.0074$ 5007.4000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Fiche TechniqueLittelfuse LSIC1MO120G0080
RoHS
Power Dissipation214W
Continuous Drain Current39A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

Guide d’achat

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