Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

Littelfuse LSIC1MO120G0025


Fabricant
Référence Fabricant
LSIC1MO120G0025
Référence EBEE
E83290757
Boîtier
TO-247-4L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>

En stock : Veuillez vous renseigner

Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.

Nom du contact
E-mail professionnel
Nom de l'entreprise
Pays
Qualité
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$45.4181$ 45.4181
200+$17.5757$ 3515.1400
500+$16.9581$ 8479.0500
1000+$16.6529$ 16652.9000
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
Fiche TechniqueLittelfuse LSIC1MO120G0025
RoHS
Power Dissipation500W
Continuous Drain Current100A
Channel Type1 N-Channel
Drain Source Voltage1200V

Guide d’achat

Développer