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LGE LGE3M70120J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LGE3M70120J |
| Référence EBEE | E842372310 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9430 | $ 19.9430 |
| 200+ | $7.9585 | $ 1591.7000 |
| 500+ | $7.6922 | $ 3846.1000 |
| 1000+ | $7.5601 | $ 7560.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| RoHS |
Guide d’achat
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| 1+ | $19.9430 | $ 19.9430 |
| 200+ | $7.9585 | $ 1591.7000 |
| 500+ | $7.6922 | $ 3846.1000 |
| 1000+ | $7.5601 | $ 7560.1000 |
