5% off
Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
KNSCHA KN3M80120K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KN3M80120K |
| Référence EBEE | E85373190 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>8 En stock pour livraison rapide
8 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0152 | $ 6.0152 |
| 10+ | $5.2035 | $ 52.0350 |
| 30+ | $4.7102 | $ 141.3060 |
| 120+ | $4.2953 | $ 515.4360 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | KNSCHA KN3M80120K | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 85mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 38A | |
| Ciss-Input Capacitance | 920pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 57pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guide d’achat
Développer
8 Stock for Shipping Fast
8 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0152 | $ 6.0152 |
| 10+ | $5.2035 | $ 52.0350 |
| 30+ | $4.7102 | $ 141.3060 |
| 120+ | $4.2953 | $ 515.4360 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
