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KNSCHA KN3M65017D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KN3M65017D |
| Référence EBEE | E87432998 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | KNSCHA KN3M65017D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 650mΩ@20V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $3.0023 | $ 3.0023 |
| 10+ | $2.5573 | $ 25.5730 |
| 30+ | $2.2782 | $ 68.3460 |
| 120+ | $1.9930 | $ 239.1600 |
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