50% off
Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
KNSCHA KN3M50120K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KN3M50120K |
| Référence EBEE | E85373189 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>34 En stock pour livraison rapide
34 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
| 120+ | $7.3730 | $ 884.7600 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | KNSCHA KN3M50120K | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 50mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 344W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.75nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 106pF | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC |
Guide d’achat
Développer
34 Stock for Shipping Fast
34 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $10.3255 | $ 10.3255 |
| 10+ | $8.9330 | $ 89.3300 |
| 30+ | $8.0851 | $ 242.5530 |
| 120+ | $7.3730 | $ 884.7600 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
