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InventChip IV2Q171R0D7
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV2Q171R0D7 |
| Référence EBEE | E85806852 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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3 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV2Q171R0D7 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 850mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 39W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 285pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15.3pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16.5nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9130 | $ 4.9130 |
| 10+ | $4.2077 | $ 42.0770 |
| 30+ | $3.7364 | $ 112.0920 |
| 100+ | $3.3126 | $ 331.2600 |
| 500+ | $3.1168 | $ 1558.4000 |
| 1000+ | $3.0296 | $ 3029.6000 |
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