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InventChip IV1Q12750T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q12750T3 |
| Référence EBEE | E82979251 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9983 | $ 4.9983 |
| 10+ | $4.3013 | $ 43.0130 |
| 30+ | $3.5636 | $ 106.9080 |
| 90+ | $3.1442 | $ 282.9780 |
| 450+ | $2.9510 | $ 1327.9500 |
| 900+ | $2.8635 | $ 2577.1500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q12750T3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 750mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.6pF | |
| Pd - Power Dissipation | 78.4W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 15pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15.8nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9983 | $ 4.9983 |
| 10+ | $4.3013 | $ 43.0130 |
| 30+ | $3.5636 | $ 106.9080 |
| 90+ | $3.1442 | $ 282.9780 |
| 450+ | $2.9510 | $ 1327.9500 |
| 900+ | $2.8635 | $ 2577.1500 |
