Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
InventChip IV1Q12080T3Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q12080T3Z |
| Référence EBEE | E85806848 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0557 | $ 11.0557 |
| 10+ | $10.5141 | $ 105.1410 |
| 30+ | $10.2757 | $ 308.2710 |
| 90+ | $10.0675 | $ 906.0750 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q12080T3Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0557 | $ 11.0557 |
| 10+ | $10.5141 | $ 105.1410 |
| 30+ | $10.2757 | $ 308.2710 |
| 90+ | $10.0675 | $ 906.0750 |
