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InventChip IV1Q12050T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q12050T3 |
| Référence EBEE | E82924637 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q12050T3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 327W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.0795 | $ 17.0795 |
| 10+ | $14.5823 | $ 145.8230 |
| 30+ | $13.3098 | $ 399.2940 |
| 90+ | $12.2008 | $ 1098.0720 |
