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InventChip IV1Q12050D7Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q12050D7Z |
| Référence EBEE | E85806847 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6810 | $ 13.6810 |
| 10+ | $13.2741 | $ 132.7410 |
| 30+ | $12.9483 | $ 388.4490 |
| 90+ | $12.6654 | $ 1139.8860 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q12050D7Z | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.6810 | $ 13.6810 |
| 10+ | $13.2741 | $ 132.7410 |
| 30+ | $12.9483 | $ 388.4490 |
| 90+ | $12.6654 | $ 1139.8860 |
