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InventChip IV1Q12030T4G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q12030T4G |
| Référence EBEE | E85806845 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q12030T4G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $20.2768 | $ 20.2768 |
| 5+ | $19.4110 | $ 97.0550 |
| 30+ | $18.3739 | $ 551.2170 |
