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InventChip IV1Q06060T3G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q06060T3G |
| Référence EBEE | E85806838 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9598 | $ 11.9598 |
| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q06060T3G | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 650V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.9598 | $ 11.9598 |
| 10+ | $10.2769 | $ 102.7690 |
| 30+ | $8.8867 | $ 266.6010 |
| 90+ | $8.0254 | $ 722.2860 |
