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InventChip IV1Q06040T3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV1Q06040T3 |
| Référence EBEE | E82979248 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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3 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.8861 | $ 12.8861 |
| 10+ | $10.5696 | $ 105.6960 |
| 30+ | $9.6608 | $ 289.8240 |
| 90+ | $8.8682 | $ 798.1380 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | InventChip IV1Q06040T3 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 40mΩ@20V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.692nF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 110.8nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $12.8861 | $ 12.8861 |
| 10+ | $10.5696 | $ 105.6960 |
| 30+ | $9.6608 | $ 289.8240 |
| 90+ | $8.8682 | $ 798.1380 |
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