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Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMZA65R072M1HXKSA1 |
| Référence EBEE | E83029556 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3087 | $ 6.3087 |
| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
| 90+ | $5.5117 | $ 496.0530 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMZA65R072M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 94mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 744pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 112pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
Guide d’achat
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| 1+ | $6.3087 | $ 6.3087 |
| 10+ | $5.7945 | $ 57.9450 |
| 30+ | $5.6403 | $ 169.2090 |
| 90+ | $5.5117 | $ 496.0530 |
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