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Infineon Technologies IMZA65R048M1H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMZA65R048M1H |
| Référence EBEE | E8536298 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMZA65R048M1H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 48mΩ@18V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | - | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
