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Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| Référence EBEE | E83289091 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-4-1 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMZ120R030M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 30mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 56A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.12nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 116pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
Guide d’achat
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