Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
Infineon Technologies IMW65R048M1H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMW65R048M1H |
| Référence EBEE | E8536287 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>6 En stock pour livraison rapide
6 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.2062 | $ 13.2062 |
| 10+ | $12.7822 | $ 127.8220 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMW65R048M1H | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 64mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 39A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 168pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
Guide d’achat
Développer
6 Stock for Shipping Fast
6 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.2062 | $ 13.2062 |
| 10+ | $12.7822 | $ 127.8220 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
