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Infineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1


Fabricant
Référence Fabricant
IMW120R350M1HXKSA1
Référence EBEE
E82997926
Boîtier
TO-247-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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3 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$5.3651$ 5.3651
10+$4.5365$ 45.3650
30+$4.0455$ 121.3650
90+$3.5468$ 319.2120
510+$3.3176$ 1691.9760
990+$3.2138$ 3181.6620
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$
TypeDescription
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CatégorieDispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET)
Fiche TechniqueInfineon Technologies IMW120R350M1HXKSA1
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)350mΩ
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)1pF
Pd - Power Dissipation60W
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))5.7V
Current - Continuous Drain(Id)4.7A
Ciss-Input Capacitance182pF
Output Capacitance(Coss)10pF
Gate Charge(Qg)5.3nC

Guide d’achat

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