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Infineon Technologies IMW120R045M1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMW120R045M1 |
| Référence EBEE | E8476131 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.7368 | $ 13.7368 |
| 10+ | $11.9966 | $ 119.9660 |
| 30+ | $10.9361 | $ 328.0830 |
| 90+ | $10.0470 | $ 904.2300 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMW120R045M1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 228W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 115pF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
Guide d’achat
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| 1+ | $13.7368 | $ 13.7368 |
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