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Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMBG120R045M1HXTMA1 |
| Référence EBEE | E83279262 |
| Boîtier | TO-263-7-12 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-263-7-12 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 1+ | $13.2809 | $ 13.2809 |
| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
| 100+ | $10.6711 | $ 1067.1100 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMBG120R045M1HXTMA1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 47A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.527nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 46nC |
Guide d’achat
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| 1+ | $13.2809 | $ 13.2809 |
| 10+ | $12.6657 | $ 126.6570 |
| 30+ | $11.6009 | $ 348.0270 |
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