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Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IMBF170R650M1XTMA1 |
| Référence EBEE | E83289295 |
| Boîtier | TO-263-7-13 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-263-7-13 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Dispositifs de carbure de silicium (SiC) ,Transistor à effet de champ de carbure de silicium (MOSFET) | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 650mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 422pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 12pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
Guide d’achat
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| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
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