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HXY MOSFET HC3M0032120K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC3M0032120K |
| Référence EBEE | E819723856 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 10+ | $6.9435 | $ 69.4350 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC3M0032120K | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 43mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 283W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 63A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.357nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 129pF | |
| Gate Charge(Qg) | 118nC |
Guide d’achat
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