7% off
Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
HXY MOSFET HC3M0021120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC3M0021120D |
| Référence EBEE | E841428807 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>10 En stock pour livraison rapide
10 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.0031 | $ 18.0031 |
| 10+ | $17.1521 | $ 171.5210 |
| 30+ | $15.6784 | $ 470.3520 |
| 90+ | $14.3916 | $ 1295.2440 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC3M0021120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 12pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 81A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.818nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC |
Guide d’achat
Développer
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.0031 | $ 18.0031 |
| 10+ | $17.1521 | $ 171.5210 |
| 30+ | $15.6784 | $ 470.3520 |
| 90+ | $14.3916 | $ 1295.2440 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
