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HXY MOSFET HC3M00160120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC3M00160120D |
| Référence EBEE | E822449549 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC3M00160120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
Guide d’achat
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