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HXY MOSFET HC2M0160120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC2M0160120D |
| Référence EBEE | E819723851 |
| Boîtier | TO-247-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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|---|---|---|
| 1+ | $2.7375 | $ 2.7375 |
| 10+ | $2.3406 | $ 23.4060 |
| 30+ | $2.1043 | $ 63.1290 |
| 90+ | $1.8657 | $ 167.9130 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC2M0160120D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 196mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 606pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 40nC |
Guide d’achat
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