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HXY MOSFET HC1M60120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC1M60120D |
| Référence EBEE | E841428810 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC1M60120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 940pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 59pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC |
Guide d’achat
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