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HXY MOSFET HC1M40120J
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC1M40120J |
| Référence EBEE | E841428801 |
| Boîtier | TO-263-7L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC1M40120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
Guide d’achat
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