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HXY MOSFET HC1M320120D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HC1M320120D |
| Référence EBEE | E841428808 |
| Boîtier | TO-247-4L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-4L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4917 | $ 4.4917 |
| 10+ | $3.8544 | $ 38.5440 |
| 30+ | $3.4750 | $ 104.2500 |
| 90+ | $3.0918 | $ 278.2620 |
| 510+ | $2.9152 | $ 1486.7520 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HC1M320120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 450mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 324pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 24pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.5nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $4.4917 | $ 4.4917 |
| 10+ | $3.8544 | $ 38.5440 |
| 30+ | $3.4750 | $ 104.2500 |
| 90+ | $3.0918 | $ 278.2620 |
| 510+ | $2.9152 | $ 1486.7520 |
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